发明名称 | 基材处理方法及基材处理装置 | ||
摘要 | 一种黏着于半导体基板之光阻剂薄膜及聚合物层可藉本发明方法去除。第一处理液典型包括氧化剂(如过氧化氢溶液)馈送至基板,因而光阻剂薄膜及聚合物层之条件改变。其次第二处理液典型包括二甲亚以及胺溶剂,第二处理液馈送至基板,因而光阻剂薄膜及聚合物层溶解且由基板剥离。含括于聚合物层之溅镀铜粒子也可被去除。 | ||
申请公布号 | TW200300573 | 申请公布日期 | 2003.06.01 |
申请号 | TW091133422 | 申请日期 | 2002.11.14 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 丹生谷贵行;折居武彦;森 宏幸;矢野洋;中森光则 |
分类号 | H01L21/302 | 主分类号 | H01L21/302 |
代理机构 | 代理人 | 恽轶群;陈文郎 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |