| 主权项 |
1.一种配线基板,其特征系具有:设于基板上之绝缘层;及Cu层;及于该Cu层与存在于其下部之上述绝缘层之间,层叠用以作为使上述Cu层与上述绝缘层密着的层而配置之Cr或Ti层所形成之配线;并且,使外部接线用的焊锡,对上述配线之Cu层扩散合金化到上述Cr或Ti层以资连接构成。2.一种配线基板,其特征系具有:具有电极,且以能够曝露出该电极之方式来覆盖形成有孔的绝缘层之基板;及连接于上述电极,且以叠层密着于上述绝缘层之Cr或Ti层与密着于该Cr或Ti层上的Cu层而形成之配线;及覆盖该配线且开设一锡焊连接用的孔之保护膜;及搭载于该保护膜所开设的锡焊连接用之孔,而使上述配线之Cu层扩散合金化到上述Cr或Ti层以资连接构成之外部连接用焊锡。3.如申请专利范围第1或2项之配线基板,其中外部连接用之焊锡乃以含有Sn之焊锡来形成。4.如申请专利范围第1或2项之配线基板,其中Cu层的厚度为0.1m程度~10m程度者。5.如申请专利范围第2项之配线基板之配线,其中在Cu层与保护层之间设置Cr层。6.如申请专利范围第1或2项之配线基板,其中绝缘层系含有有机树脂层。7.如申请专利范围第1项之配线基板,其中外部连接用之焊锡乃直接连接于基板上的电极所连接的配线层而构成者。8.如申请专利范围第1或2项之配线基板,其中在Cu层与外部连接用的焊锡之间,为了改善焊锡之湿濡性而设置Au层或Ni/Au层或预焊剂之类的防锈剂。9.一种电路基板,其特征系将如申请专利范围第1~8项之其中任一项所记载之配线基板的外部连接用焊锡连接于电子零件而构成。10.一种配线基板之制造方法,其特征系具有:在基板上形成绝缘层之绝缘层形成过程;及在以该绝缘层形成过程所形成之绝缘层上,叠层Cr层或Ti层及Cu层而予以成膜以资形成配线之配线形成过程;及使外部连接用之焊锡,对以上述配线形成过程所形成之Cu层扩散合金化到上述Cr或Ti层以资使之连接之反流过程。11.一种配线基板之制造方法,其特征系具有:于具有电极之基板上被覆绝缘膜,而以能够曝露出上述电极之方式来形成孔之绝缘膜形成过程;及连接于上述电极,且叠层该密着于上述绝缘层的Cr或Ti层及密着于该Cr或Ti层上的Cu层,而予以成膜,以资形成配线之配线形成过程,及以能够覆盖该配线形成过程中所形成的配线之方式来形成保护膜,并且开设一焊锡接合用的孔之保护膜形成过程;及将外部连接用之焊锡载置于在上述保护膜形成过程中所开设之焊锡连接用的孔,且使对上述配线之Cu层扩散合金化到上述Cr或Ti层而使之连接之反流过程。12.一种半导体装置,其特征系由:具有电极,且被覆有以能够曝露出该电极之方式而形成孔的绝缘层之半导体基板;及连接于上述电极,且由叠层密着于上述绝缘层的Cr或Ti层,及密着于该Cr或Ti层上的Cu之层所形成之配线;及覆盖该配线而开设一焊锡接合用的孔之保护膜;及搭载于该保护膜所开设之焊锡接合用的孔,而使上述配线之Cu层扩散合金化到上述Cr或Ti层以资连接而构成之外部连接用焊锡;所构成者。13.如申请专利范围第12项之半导体装置,其中在Cu层与保护层之间设置Cr之层。14.如申请专利范围第12项之半导体装置,其中绝缘层乃含有有机树脂层者。15.一种半导体安装构造体,其特征为:将申请专利范围第12~14项之其中之任一项所记载之半导体装置的外部连接用焊锡连接安装于电子零件。16.一种配线基板,系属于一种具有:半导体元件;及形成于该半导体元件上的电极;及形成于该半导体元件上的绝缘膜;及连接于该电极的配线;及与该配线电气性连接的外部连接端子;等之半导体装置,其特征为:该配线至少具有:由Cr层或Ti层所构成的第一层,及由形成于该第一层上的Cu层所构成的第二层,且该配线的第二层会与该外部连接端子合金化,第一层是用以防止该合金层的扩散。17.一种半导体装置,系属于一种具有:半导体元件;及形成于该半导体元件上的电极;及形成于该半导体元件上的绝缘膜;及连接于该电极的配线;及与该配线电气性连接的外部连接端子;等之半导体装置,其特征为:该配线至少具有3层,该配线的第一层为Cr层或Ti层,该配线的第二层为形成于该第一层上的Cu层,该配线的第三层是搭载于该第二层上的Cr层。18.一种配线基板,系属于一种具有:基板;及形成于该基板上的电极;及形成于该基板上的绝缘膜;及连接于该电极的配线;及与该配线电气性连接的外部连接端子;等之配线基板,其特征为:该配线至少具有:由Cr层或Ti层所构成的第一层,及由形成于该第一层上的Cu层所构成的第二层,且该配线的第二层会与该外部连接端子合金化,第一层是用以防止该合金层的扩散。19.一种半导体装置,系属于一种具有:基板;及形成于该基板上的电极;及连接于该电极的配线;及形成于该基板上的绝缘膜;及与该配线电气性连接的外部连接端子;等之配线基板,其特征为:该配线至少具有3层,该配线的第一层为Cr层或Ti层,该配线的第二层为形成于该第一层上的Cu层,该配线的第三层是搭载于该第二层上的Cr层。图式简单说明:第1图表示本发明之配线基板及半导体装置之一实施例之剖面图。第2(a)~(e)图表示本发明之配线基板及半导体装置之制程之一实施例之前半之说明图。第3(a)~(e)图表示本发明之配线基板及半导体装置之制程之一实施例之后半之说明图。第4图表示本发明之配线基板及半导体装置之其他实施例之剖面图。第5图表示第4图所示之实施例之反流后之剖面之SEM观察之图。第6图表示第4图所示之实施例之初期连接强度之反流时间依存性之图。第7图表示第4图所示之实施例之高温放置之连接强度之可靠性之图。第8图表示本发明之配线基板及半导体装置之一实施例之剖面图。第9图表示本发明之配线基板及半导体装置之一实施例之剖面图。第10图表示本发明之配线基板及半导体装置之一实施例之剖面图。 |
