| 摘要 |
본 발명은 화학식 1 또는 2로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물을 함유하는 포지티브형 레지스트 재료를 제공한다. <화학식 1> <화학식 2> (식 중,은 방향족 탄화수소기를 나타내고, R은 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타내고, R는 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬기 또는 방향족 탄화수소기를 나타내고, R은 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 나타내고, 또는 R, R은 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성할 수도 있고, 그 경우에 R와 R은 합하여 탄소수 5 내지 12의 알킬렌기를 나타내며, a는 1 또는 2를 나타낸다.) 본 발명의 재료는 미세 가공 기술, 특히 ArF 리소그래피 기술에 있어서 매우 높은 해상성을 가지고, 정밀한 미세 가공에 매우 유용하다. 또한, 마스크 가공에서의 EB 묘화에 있어서, 미세 패턴의 해상성, 고감도이며 고가속 전압 EB 노광에 상응하고, 에칭 내성이 우수한 포지티브형 레지스트 재료를 제공할 수 있고, 마스크 가공에 매우 유용하기도 하다. |
