发明名称 | 孔洞化单晶高频电容器 | ||
摘要 | 本创作系有关一种孔洞化单晶高频电容器,主要包括有介电陶瓷层与至少二个电极,该介电陶瓷层系利用微观化学液相变化原理,以乳胶状浆料不均匀分散,形成次微米陶瓷粉的微胞结构,再烧结成为中空结晶体的孔洞化结构介电陶瓷层,其特征在于:该介电陶瓷层具有中空结晶体的孔洞化结构 ,藉介电陶瓷层的孔洞化单晶结构,借由空气媒介,以提高电容器之高频特性者。 | ||
申请公布号 | TW547757 | 申请公布日期 | 2003.08.11 |
申请号 | TW091210854 | 申请日期 | 2002.07.12 |
申请人 | 千如电机工业股份有限公司 | 发明人 | 许智伟 |
分类号 | H01G4/33 | 主分类号 | H01G4/33 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种「孔洞化单晶高频电容器」,主要包括有介电陶瓷层与至少二个电极,该介电陶瓷层系利用微观化学液相变化原理,以乳胶状浆料不均匀分散,形成次微米陶瓷粉的微胞结构,再烧结成为中空结晶体的孔洞化结构介电陶瓷层,其特征在于:该介电陶瓷层具有中空结晶体的孔洞化结构,藉介电陶瓷的孔洞化单晶结构,借由空气媒介,以提高电容器之高频特性者。图式简单说明:第一图系本创作孔洞化单晶高频电容器剖面图。 | ||
地址 | 桃园县杨梅镇杨湖路一段四二二号 |