发明名称 孔洞化单晶高频电容器
摘要 本创作系有关一种孔洞化单晶高频电容器,主要包括有介电陶瓷层与至少二个电极,该介电陶瓷层系利用微观化学液相变化原理,以乳胶状浆料不均匀分散,形成次微米陶瓷粉的微胞结构,再烧结成为中空结晶体的孔洞化结构介电陶瓷层,其特征在于:该介电陶瓷层具有中空结晶体的孔洞化结构 ,藉介电陶瓷层的孔洞化单晶结构,借由空气媒介,以提高电容器之高频特性者。
申请公布号 TW547757 申请公布日期 2003.08.11
申请号 TW091210854 申请日期 2002.07.12
申请人 千如电机工业股份有限公司 发明人 许智伟
分类号 H01G4/33 主分类号 H01G4/33
代理机构 代理人
主权项 一种「孔洞化单晶高频电容器」,主要包括有介电陶瓷层与至少二个电极,该介电陶瓷层系利用微观化学液相变化原理,以乳胶状浆料不均匀分散,形成次微米陶瓷粉的微胞结构,再烧结成为中空结晶体的孔洞化结构介电陶瓷层,其特征在于:该介电陶瓷层具有中空结晶体的孔洞化结构,藉介电陶瓷的孔洞化单晶结构,借由空气媒介,以提高电容器之高频特性者。图式简单说明:第一图系本创作孔洞化单晶高频电容器剖面图。
地址 桃园县杨梅镇杨湖路一段四二二号