发明名称 晶片电阻基板结构改良
摘要 一种晶片电阻基板结构改良,其系于晶片电阻基板宽边之堤部预制至少一道缺口,以使基板可以配合以专用剥离装置于全自动剥离基板晶片电阻单元时可同时剥离该堤部,免除用基板须先以人工剥离堤部,成本高且剥离之晶片电阻侧边易呈不规则状不良之缺失者。
申请公布号 TW547755 申请公布日期 2003.08.11
申请号 TW091206854 申请日期 2002.05.10
申请人 施乔瀚 发明人 施乔瀚
分类号 H01C17/00 主分类号 H01C17/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种晶片电阻基板结构改良,该基板系呈平行四边形状,于其正面与背面乃以隐藏式分割线以区分为多数排列区域以供印制晶片电阻单元之正面导体与背面导体,于该基板四边皆保留一道堤部,其特征在于:于基板其两宽边之堤部乃各预制有至少一道缺口,且该缺口应与该基板最边缘之隐藏式分割线相接触;藉由上述结构,以可使该基板可以配合以专用剥离装置于剥离基板晶片电阻单元时同时剥离该堤部者。2.如申请专利范围第1项所述之晶片电阻基板结构改良,其中,该基板堤部之缺口可以为V字状者。3.如申请专利范围第1项所述之晶片电阻基板结构改良,其中,该基板堤部之缺口可以为半圆状者。图式简单说明:第一图系为晶片电阻基板之正面结构示意图第二图系为晶片电阻基板之背面结构示意图第三图系晶片电阻基板其隐藏式切割线放大示意图第四图系为习式晶片电阻基板以人工拨离其边框部位后之成品状态示意图第五图系为本创作晶片电阻基板暨其缺口较佳实施例之结构示意图第六图系为本创作晶片电阻基板暨其缺口之另一实施例之结构示意图第七图系为专用剥离装置之结构示意图
地址 台中县大里市大兴街十六号