非挥发性双电晶体 - 半导体记忆体单元及相关制造方法

摘要

本发明揭示一种非挥发性双电晶体-半导体记忆体单元及相关制造方法，其中一选择电晶体(AT)及一记忆体电晶体(ST)的源极及汲极区域(2)系形成于一基板(1)内。该记忆体电晶体(ST)具有一第一绝缘层(3)、一电荷储存层(4)、一第二绝缘层(5)及一记忆体电晶体控制层(6)，而该选择电晶体(AT)则具有一第一绝缘层(3')及一选择电晶体控制层(4*)。藉由在该电荷储存层(4)及该选择电晶体控制层(4*)中使用不同的材料，并藉由调整基板掺杂，可显着改善该记忆体单元的电荷保持特性，且使其电气特性保持不变。