到III‑V材料的自对准接触及其制造方法、FET器件及制造方法

摘要

本发明涉及到III‑V材料的自对准接触及其制造方法、FET器件及其制造方法。提供了用于制造III‑V FET器件中的自对准接触的技术。在一个方面，用于制造到III‑V材料的自对准接触的方法包括以下步骤。将至少一种金属沉积在所述III‑V材料的表面上。使所述至少一种金属与所述III‑V材料的上部反应，以形成金属–III‑V合金层，所述金属–III‑V合金层是自对准接触。使用蚀刻来去除所述至少一种金属的任何未反应部分。将至少一种杂质注入到所述金属–III‑V合金层中。使被注入到所述金属–III‑V合金层中的所述至少一种杂质扩散到所述金属–III‑V合金层和其下面的所述III‑V材料之间的界面，从而降低所述自对准接触的接触电阻。

主权项

一种用于制造到III‑V材料的自对准接触的方法，该方法包括以下步骤：将一种或多种掺杂剂注入所述III‑V材料中，以在所述III‑V材料中选择性地形成分隔开的注入区域；在形成所述注入区域之后，将至少一种金属沉积在所述III‑V材料的表面上；使所述至少一种金属与所述III‑V材料的上部反应，以在所述注入区域内形成金属–III‑V合金层，所述金属–III‑V合金层是自对准接触；使用蚀刻来选择性地去除所述至少一种金属的任何未反应部分；将至少一种杂质注入到所述金属–III‑V合金层中；以及使被注入到所述金属–III‑V合金层中的所述至少一种杂质扩散到所述金属–III‑V合金层和其下面的所述III‑V材料之间的界面，从而降低所述自对准接触的接触电阻。