| 主权项 |
1.一种金氧半导体电晶体之制造方法,包含下列步骤:于一基板上形成一闸极氧化层、一闸极电极及一场氧化层;于该基板上沉积一层遮蔽层,此遮蔽层系以均一之厚度覆盖该闸极电极、该场氧化层及该基板表面,其中,此遮蔽层会于该闸极电极侧形成侧壁区域,此侧壁区域之遮蔽层厚度会大于该均一厚度;于该基板上形成一阻剂图案;对该基板进行离子植入以形成高掺杂区域,其中,该离子植入之能量系控制在使离子无法穿透该侧壁区域之遮蔽层;移除未被该阻剂图案覆盖之该遮蔽层;对该基板进行离子植入以形成轻微掺杂区域;以及移除该阻剂图案及残留之该遮蔽层。2.如申请专利范围第1项之金氧半导体电晶体之制造方法,其中,该基板为P型矽基板,而该闸极电极系由多晶矽形成。3.如申请专利范围第2项之金氧半导体电晶体之制造方法,其中,该高掺杂区域及该轻微掺杂区域所植入之离子为N型掺质。4.如申请专利范围第1项之金氧半导体电晶体之制造方法,其中,该基板为N型矽基板,而该闸极电极系由多晶矽形成。5.如申请专利范围第4项之金氧半导体电晶体之制造方法,其中,该高掺杂区域及该轻微掺杂区域所植入之离子为P型掺质。6.如申请专利范围第1项之金氧半导体电晶体之制造方法,其中,该遮蔽层系由底部抗反射涂布材料(BARC,Bottom Anti-Reflective Coating)所构成。7.如申请专利范围第1项之金氧半导体电晶体之制造方法,其中,该遮蔽层系由有机材料构成。8.如申请专利范围第1项之金氧半导体电晶体之制造方法,其中,该遮蔽层之材料系为下列其中之一:非晶相碳膜(amorphous carbon)、氮化矽(SiN)、氮氧化矽(SiOxNy)或氧化钛(TiO)。9.一种金氧半导体电晶体之制造方法,包含下列步骤:于一基板上形成一闸极氧化层、一闸极电极及一浅隔离沟渠;于该基板上沉积一层遮蔽层,此遮蔽层系以均一之厚度覆盖该闸极电极、该浅隔离沟渠及该基板表面,其中,此遮蔽层会于该闸极电极侧形成侧壁区域,此侧壁区域之遮蔽层厚度会大于该均一厚度;于该基板上形成一阻剂图案;对该基板进行离子植入以形成高掺杂区域,其中,该离子植入之能量系控制在使离子无法穿透该侧壁区域之遮蔽层;移除未被该阻剂图案覆盖之该遮蔽层;对该基板进行离子植入以形成轻微掺杂区域;以及移除该阻剂图案及残留之该遮蔽层。10.如申请专利范围第9项之金氧半导体电晶体之制造方法,其中,该基板为P型矽基板,而该闸极电极系由多晶矽形成。11.如申请专利范围第10项之金氧半导体电晶体之制造方法,其中,该高掺杂区域及该轻微掺杂区域所植入之离子为N型掺质。12.如申请专利范围第9项之金氧半导体电晶体之制造方法,其中,该基板为N型矽基板,而该闸极电极系由多晶矽形成。13.如申请专利范围第12项之金氧半导体电晶体之制造方法,其中,该高掺杂区域及该轻微掺杂区域所植入之离子为P型掺质。14.如申请专利范围第9项之金氧半导体电晶体之制造方法,其中,该遮蔽层系由底部抗反射涂布材料(BARC,Bottom Anti-ReflectiveCoating)所构成。15.如申请专利范围第9项之金氧半导体电晶体之制造方法,其中,该遮蔽层系由有机材料构成。16.如申请专利范围第9项之金氧半导体电晶体之制造方法,其中,该遮蔽层之材料系为下列其中之一:非晶相碳膜(amorphous carbon)、氮化矽(SiN)、氮氧化矽(SiOxNy)或氧化钛(TiO)。图式简单说明:图1(a)至1(g)显示习知技术用以制造MOS电晶体之方法;及图2(a)至2(f)显示本发明实施例之MOS电晶体之制造方法。图3显示以浅沟渠隔离作为元件隔离之习知电晶体。 |
