发明名称 电子电路
摘要 关于电晶体,由于制造技术和所使用基底的不同,会出现闸极绝缘膜的变化,以及由此在通道形成区结晶状态的变化等因素之重叠,因此会产生电晶体的临界值电压和迁移率的变化。本发明提供一种使用整流型装置的电路,其中当在该装置两端的电极施加电位差时,仅在单一方向产生电流。其次,本发明提供一种电子电路,其利用了一个事实,即当讯号电压被输入到整流型装置的一端时,另一端的电位成为只被整流型装置的临界值电压偏置的电位。
申请公布号 TW200303644 申请公布日期 2003.09.01
申请号 TW092100807 申请日期 2003.01.15
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 木村肇;渡边康子
分类号 H03F1/08 主分类号 H03F1/08
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本