藉ALD/CVD方法结合快速热方法沈积薄层之装置与方法

摘要

本发明系有关一种具有加热辐射源(9)之极微粒层沉积处理室(1)，藉此，被安置于极微粒层沉积处理室(1)中之一基板(3)之基板表面(8)上的快速温度变化系可被控制，及有关藉由原位温度步骤最适化之极微粒层沉积及化学汽相处理，如用以制造毫微薄片。