可程式化之导体随机存取记忆体及其写入之方法

摘要

本发明提供一种经过改良之写入电路及方法，其用以写入一可程式化之导体随机存取记忆体(PCRAM)单元。该方法包括将一位元线预充电至一第一电压，并且施加一第二电压给一硫系化合物(chalcogenide)记忆体元件的第一端点。该硫系化合物记忆体元件的第二端点则会选择性地被耦合至该条位元线，用以于跨接该记忆体元件处，使其产生一足够的电压，以便将预设的阻抗状态写入该元件中。该第一电压可能具有两种不同的数值，用以将两种不同的阻抗状态程式化至该记忆体元件中。