发光二极体装置的透光层及其制作方法

摘要

本发明系提供一种发光二极体装置中的透光层及其制作方法。本发明主要是揭露一种经过改良的液相磊晶法( LPE)，并用以形成一发光二极体的透光层。在上述的液相磊晶法中，可以藉由使用一种经过改良的过饱和溶液来克服在知技艺中的许多缺点。上述的过饱和溶液使用锑( Sb)，或锑与铟(In)，来作为溶剂。此外，在上述的过饱和溶液中可以加入金属锌(Zn)与/或镁(Mg)作为掺质，藉以提升所形成之透光层的性质。所以，本发明可以提供一种更有效率的形成透光层之方法，进而可以改善在发光二极体上的透光层之性质。

主权项

1.一种形成透光层于一发光二极体底材上的方法,上述形成透光层于一发光二极体底材上的方法包含:提供一过饱和溶液,其中该过饱和溶液使用锑作为溶剂;将该发光二极体底材浸入该过饱和溶液中;及形成该透光层于该发光二极体底材上。2.如申请专利范围第1项之形成透光层于一发光二极体底材上的方法,其中该过饱和溶液更包含铟作为溶剂。3.如申请专利范围第1项之形成透光层于一发光二极体底材上的方法,其中该过饱和溶液更包含一金属掺质。4.如申请专利范围第3项之形成透光层于一发光二极体底材上的方法,其中该金属掺质包含锌。5.如申请专利范围第4项之形成透光层于一发光二极体底材上的方法,其中该掺质锌与该过饱和溶液中的锑之重量比例系1比1000至1比10。6.如申请专利范围第1项之形成透光层于一发光二极体底材上的方法,其中将该发光二极体底材浸入该过饱和溶液的步骤系执行于摄氏500至1000度。7.一种形成透光层于一发光二极体底材上的方法,上述形成透光层于一发光二极体底材上的方法包含:提供一过饱和溶液,其中该过饱和溶液使用锑作为溶剂;将该发光二极体底材浸入该过饱和溶液中;形成一第一透光层于该发光二极体底材上,其中该第一透光层具有一第一厚度;将具有该第一透光层的该发光二极体底材浸入该过饱和溶液中;及形成一第二透光层于该第一透光层上,其中该第二透光层具有一第二厚度。8.如申请专利范围第7项之形成透光层于一发光二极体底材上的方法,其中该过饱和溶液更包含铟作为溶剂。9.如申请专利范围第7项之形成透光层于一发光二极体底材上的方法,其中该过饱和溶液更包含一金属掺质。10.如申请专利范围第8项之形成透光层于一发光二极体底材上的方法,其中该金属掺质包含锌。11.如申请专利范围第10项之形成透光层于一发光二极体底材上的方法,其中该掺质锌与该过饱和溶液中的锑之重量比例系1/1000至1/10。12.如申请专利范围第7项之形成透光层于一发光二极体底材上的方法,其中将该发光二极体底材浸入该过饱和溶液的步骤系执行于500至1000℃。13.一种形成透光层于一发光二极体底材上的方法,上述形成透光层于一发光二极体底材上的方法包含:提供一过饱和溶液,其中该过饱和溶液系使用锑与铟作为溶剂,使用磷化镓作为溶质,及使用锌作为掺质;将该发光二极体底材浸入该过饱和溶液中;及形成该透光层于该发光二极体底材上。14.如申请专利范围第13项之形成透光层于一发光二极体底材上的方法,其中该掺质锌与该过饱和溶液中的锑之重量比例系1比1000至1比10。15.如申请专利范围第13项之形成透光层于一发光二极体底材上的方法,其中将该发光二极体底材浸入该过饱和溶液的步骤系执行于摄氏500至1000度。16.如申请专利范围第13项之形成透光层于一发光二极体底材上的方法,其中形成该透光层的步骤包含:形成一第一透光层于该发光二极体底材上;将具有该第一透光层的该发光二极体底材浸入该过饱和溶液中;及形成一第二透光层于该第一透光层上。17.一种发光二极体装置的结构,上述发光二极体装置的结构包含:一发光二极体底材;及一透光层位于该发光二极体底材上,其中该透光层包含一掺质锌。18.如申请专利范围第17项之发光二极体装置的结构,其中该透光层系藉由液相磊晶法制程来形成。19.如申请专利范围第17项之发光二极体装置的结构,其中该透光层系藉由一液相磊晶法制程来形成,其中该液相磊晶法制程使用一包含锑与铟作为溶剂的过饱和溶液。20.如申请专利范围第18项之发光二极体装置的结构,其中该掺质锌与该过饱和溶液中的锑之重量比例系1比1000至1比10。21.如申请专利范围第19项之发光二极体装置的结构,其中该掺质锌与该过饱和溶液中的锑之重量比例系1比1000至1比10。图式简单说明:第一图系使用根据本发明的方法来形成一透光层的流程图;及第二图系根据本发明之LED装置的示意图。