发明名称 光阻残渣去除液组成物
摘要 本发明系提供一种在半导体电路元件之制造步骤中,对于乾蚀刻后所残留光阻残渣具有极佳的去除性,同时对于新导线材料或阻障金属层、层间绝缘膜等,也不会造成损坏的光阻残渣去除液组合物。此光阻残渣去除液组合物包含:一种或二种以上之氟化物,与由乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖与甘露糖所构成组群中选择出一种或二种以上(除由氟化铵、极性有机溶剂、水及抗坏血酸所形成者之外)。
申请公布号 TW200306465 申请公布日期 2003.11.16
申请号 TW092105835 申请日期 2003.03.17
申请人 关东化学股份有限公司;NEC电子股份有限公司 发明人 大和田 拓央;石川典夫;青木秀充;中别府健一;笠间佳子
分类号 G03F7/42 主分类号 G03F7/42
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 日本
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