大马士革结构的制作方法

摘要

一种大马士革结构的制作方法，其包括：在金属导电层上依次形成介电层、掩模层；以至少经过一次图形化处理的掩模层为掩模、对介电层进行刻蚀，在介电层中形成暴露金属导电层的沟槽、孔；利用包含浓双氧水与EKC575的溶液对沟槽、孔进行第一清洗处理；然后，在等离子体反应腔室中利用包含N₂与H₂的混合气体对沟槽、孔进行处理；然后，利用稀氢氟酸对沟槽、孔进行第二清洗处理。本发明在刻蚀形成大马士革结构中的孔、沟槽之后，通过选择合适的清洗处理方法，在有效去除杂质的同时，使大马士革结构下方的金属导电层不会产生笑脸缺陷，提高了大马士革结构所在集成电路的电学性能。

主权项

一种大马士革结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在金属导电层上依次形成介电层、掩模层；以至少经过一次图形化处理的所述掩模层为掩模、对所述介电层进行刻蚀，在所述介电层中形成暴露所述金属导电层的沟槽、孔；利用包含浓双氧水与EKC575的溶液对所述沟槽、孔进行第一清洗处理，所述浓双氧水的质量百分比浓度为35％；第一清洗处理之后，在等离子体反应腔室中利用包含N₂与H₂的混合气体对所述沟槽、孔进行处理；利用稀氢氟酸对所述沟槽、孔进行第二清洗处理，所述稀氢氟酸是由质量百分比浓度为49％的浓氢氟酸与水混合而成，浓氢氟酸的体积:水的体积＝1:500～1:2000。