发明名称 可控制内部电源电压之半导体积体电路
摘要 本发明之目的在于进一步减少微控制器之低速作动时的耗电量。本发明之半导体积体电路包含有:内部电源电压产生电路(12),系用以使外部电源电压(EVcc)降压且产生内部电源电压(IVcc);及内部电路(14),系因供给前述内部电源电压而作动,另,前述内部电源电压产生电路系依照前述内部电路之作动速度来变更所产生之内部电源电压之位准。又,前述半导体积体电路更具有时脉控制电路(22),该时脉控制电路(22)系用以产生依照内部电路之作动速度来控制之频率的内部时脉,且当内部时脉之频率控制成较高时,内部电源电压亦控制成较高,而当内部时脉之频率控制成较低时,内部电源电压亦控制成较低,藉此,可避免内部电路无法作动之状态,并进一步减少低速作动时之耗电量。
申请公布号 TW200402868 申请公布日期 2004.02.16
申请号 TW092120447 申请日期 2003.07.25
申请人 富士通股份有限公司 发明人 阿部裕之;高须贺豊;伊势尚生;鹰野裕子;高桥幸江
分类号 H01L27/02 主分类号 H01L27/02
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本