| 主权项 |
1.一种在基板上形成高-k介电膜的方法,其包含下列步骤:a)提供半导体基板到原子层沉积反应室内;b)加热该基板到原子层沉积的温度范围内;c)将无水硝酸铪引入反应室;d)通氮气或惰性气体清该反应室;及e)将含水气体引入该反应室,藉此沉积单层氧化铪。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该含水气体是水蒸气、甲醇或氢气。3.如申请专利范围第1项的方法,其中该基板有一矽表面。4.如申请专利范围第2项的方法,其中该基板有一终端为氢的矽表面。5.如申请专利范围第2项的方法,其中该基板被加热到温度范围约为160到200℃。6.如申请专利范围第1项的方法,尚包含重复引入无水硝酸铪到该反应室、清该反应室及引入含水气体到该反应室的步骤。7.如申请专利范围第6项的方法,其中该重复的步骤被重复直到所得的氧化铪膜有低于20埃的等效氧化层厚度。8.一种在基板上形成高-k介电膜的方法,其包含下列步骤:a)提供半导体基板到原子层沉积反应室内;b)加热该基板到原子层沉积的温度范围内;c)将无水硝酸锆引入反应室;d)通氮气清该反应室;及e)将含水气体引入该反应室,藉此沉积单层氧化锆。9.如申请专利范围第8项的方法,其中该含水气体是水蒸气、甲醇或氢气。10.如申请专利范围第8项的方法,其中该基板有一矽表面。11.如申请专利范围第9项的方法,其中该基板有一终端为氢的矽表面。12.如申请专利范围第9项的方法,其中该基板被加热到温度范围约为160到200℃。13.如申请专利范围第8项的方法,尚包含重复引入无水硝酸锆到该反应室、清该反应室及引入含水气体到该反应的步骤。14.如申请专利范围第13项的方法,其中该重复步骤被重复直到所得的氧化锆膜有低于20埃的等效氧化层厚度。15.一种形成包含氧化铪及氧化锆奈米层板的方法,其包含下列步骤:a)提供半导体基板到原子层沉积反应室内;b)加热该基板到原子层沉积的温度范围内;c)藉用包含下列步骤的方法,形成一层氧化铪:i)将无水硝酸铪引入该反应室;ii)清该反应室;iii)将含水气体引入该反应室,藉此形成单层氧化铪;iv)再清该反应室;及d)藉用包含下列步骤的方法,形成一层氧化锆:i)将无水硝酸锆引入该反应室;ii)清该反应室;及iii)将含水气体引入该反应室,藉此形成单层氧化锆;及iv)再清该反应室。16.如申请专利范围第15项的方法,尚包含重复形成氧化铪层的步骤c),直到厚度达到所需之要求。17.如申请专利范围第15项的方法,尚包含重复形成氧化锆层的步骤d),直到厚度达到所需之要求。18.如申请专利范围第15项的方法,尚包含重复形成氧化铪层的步骤c)及形成氧化锆层的步骤d),藉此形成所要总厚度的奈米层板。图式简单说明:图1是沉积HfO2或ZrO2制程的流程图。图2是沉积HfO2或ZrO2奈米层板的流程图。 |
