化合物半导体粒子及其制造方法

摘要

本发明之目的在提供可在发光强度、发光效率等化合物半导体特有之机能中，发挥更具有优良性能的化合物半导体粒子，及如此之化合物半导体粒子的可经济地高生产力制造且易于获得之方法。本发明之化合物半导体粒子，其特征为：具备：选自C、Si、Ge、Sn、Pb、N、P、As、Sb、S、Se及Te所成群之至少一种元素X，及与该元素X非同一之至少一种金属元素M为必要元素组合而成之化合物半导体所成之本体粒子；其粒径不及1微米，其表面被覆以结合有醯氧基之金属氧化物。