| 摘要 |
一种记忆体装置(50)，其具有一记忆体晶胞(130)之交叉点阵列(100)，其包括一温度感测器(150)以及一参考记忆体晶胞(160)。温度感测器(150)感测记忆体装置(50)之温度(T)，且来自温度感测器(150)和参考记忆体晶胞(160)之资料被用来更新写入电流(IxPA，IyPA，IxAP，IyAP，Ix，Iy)，其被用来规划记忆体晶胞(130)之阵列(100)。一校准记忆体装置(50)之方法牵涉到侦测记忆体装置(50)之温度(T)，判断记忆体装置之温度是否已改变一临界值(△T)，且若记忆体装置之温度改变了临界值(△T)的话，更新写入电流值(IxPA，IyPA，IxAP，IyAP，Ix，Iy)。写入电流值可由来自参考记忆体晶胞(160)，或来自储存于一搜寻表中之写入电流值之资料加以更新。 |
