| 主权项 |
1.一种光伏打电池结构,其特征在于:一pn接面形成于太阳能电池材料层之一或多区上,其中该太阳能电池材料层可由支持层移开。2.如申请专利范围第1项之光伏打电池结构,其中该太阳能电池材料层以及支持层大致为相同材料。3.如申请专利范围第1项之光伏打电池结构,其中该太阳能电池材料层系于pn接面形成前连结至该支持层。4.如申请专利范围第1项之光伏打电池结构,其中该太阳能电池材料层系于pn接面形成前选择性连结至该支持层。5.一种光伏打电池组,包含一第一个如申请专利范围第1项之光伏打电池结构以及一第二个如申请专利范围第1项之光伏打电池结构,各个光伏打电池结构包括一太阳能捕捉面、一背面、一第一远端以及一第二远端,其中该第一光伏打电池结构之太阳能捕捉面之第一远端系连结至该第二光伏打电池结构背面之第二远端。6.如申请专利范围第5项之光伏打电池组,进一步包含一第三光伏打电池,其中该第二光伏打电池结构之太阳能捕捉面之第一远端系连结至该第三光伏打电池之背面之第二远端。7.一种制造光伏打电池之方法,包含:于选择性位置连结一光伏打电池层至一基板层,俾界定一或多个弱连结区以及一或多个强连结区;处理于该一或多个弱连结区之一或多个光伏打电池。8.如申请专利范围第7项之方法,进一步包含经由将该一或多个强连结区解除连结而移开该一或多个光伏打电池。9.如申请专利范围第8项之方法,进一步包含移开基板层之一层,以及连结该被移开之基板层至其余基板层于选择性所在位置,俾界定一或多个弱连结区以及一或多个强连结区,因而回收利用基板层。10.一种制造光伏打电池之方法,包含:提供一种多层基板,其具有一装置层以及一基板层,该装置层选择性连结至该基板层,俾界定一或多个弱连结区以及一或多个强连结区;于装置层于一或多个弱连结区处理一或多个光伏打电池;经由将强连结区解除连结而由基板层移开装置层,随后允许移开装置层,而对装置层中经过处理的光伏打电池极少或丝毫也未造成损伤。11.如申请专利范围第7或10项之方法,其中该光伏打电池包含一种选自pn接面、背面场、紫、制作结构、V字形沟槽多重接面、有机、基于光合成之能量转换以及包含前述至少一种的组合组成的组群之电池。12.一种制造光伏打电池之方法,包含:提供一第一多层基板其具有一第一装置层以及一第一基板层,该第一装置层选择性连结至该第一基板层而界定一或多个弱连结区以及一或多个强连结区;处理于第一装置层位于一或多个弱连结区之第一光伏打电池;经由将强连结区解除连结而由第一基板层移开第一装置层,随后允许移开第一装置层而对第一装置层之经处理的光伏打电池极少或丝毫也未造成损伤;提供一第二多层基板其具有一第二装置层以及一第二基板层,该第二装置层选择性连结至该第二基板层而界定一或多个弱连结区以及一或多个强连结区;处理于第二装置层位于一或多个弱连结区之第二光伏打电池;经由将强连结区解除连结而由第二基板层移开第二装置层,随后允许移开第二装置层而对第二装置层之经处理的光伏打电池极少或丝毫也未造成损伤;以及于各层远端边缘堆叠且连结第一装置层至第二装置层俾形成一个光伏打电池组。13.一种制造汇接光伏打电池之方法,包含:提供一个具有带隙Eg(1)之如申请专利范围第7.10或11项之方法制成的第一光伏打电池;以及堆叠具有带隙Eg(2)之如申请专利范围第7.10或11项之方法制成的第二光伏打电池至该第一光伏打电池顶上,其中Eg(1)系比Eg(2)更强力,因而提供一种汇接光伏打电池。图式简单说明:第1A图示意显示用于处理此处所述光伏打电池之一种多层基板;第1B图示意显示供用于处理此处所述光伏打电池之多层基板之另一具体实施例;第2-13图显示第1A及1B图之结构供选择性黏着各层之处理技术。第14-20图显示第1A及1B图结构之多种连结几何。第21-32图显示多种去除连结技术;第33图显示光伏打电池组之具体实施例;第34A-34C图显示汇接光伏打电池;第35图显示使用汇接光伏打电池之光伏打电池组之另一具体实施例;以及第36图显示光伏打电池组之汇接阵列之具体实施例。 |
