使用结合水溶液及CO2为主之低温清洁技术于半导体晶圆表面之后CMP清洁方法POST-CMP CLEANING OF SEMICONDUCTOR WAFER SURFACES USING A COMBINATION OF AQUEOUS AND CO2 BASED CRYOGENIC CLEANING TECHNIQUES

摘要

本发明提供一种新型并改良之水溶液及低温强化(aqueousandcryogenicenhanced；ACE)清洁方法，其系可清洁半导体表面及金属、介电膜(特别是低k疏水介电膜)以及化学机械抛光(CMP)蚀刻停止膜表面，以移除后化学机械抛光(post–CMP)污染物，该方法对移除尺寸为0.3μm或更小的污染物尤其有用。此一ACE清洁方法系应用于经过化学机械研磨(chemical–mechanicalpolishing；CMP)的表面，其步骤包含使用一以水溶液为主的清洁方法清洁表面，并至少部分烘乾表面，之后，再以一CO2低温清洁方法清洁该表面。此一ACE方法可自疏水表面清除单独使用水溶液为主之清洁技术难以清洁的污染物。