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发明名称
积层型半导体装置
摘要
本发明之积层型半导体装置,系积层有特定之半导体积体电路晶片,及至少一个以上之半导体积体电路晶片者;前述至少一个以上之半导体积体电路晶片,包含由复数之电路区块所组成之群;前述特定之半导体积体电路晶片,具备:记忆部,其系于前述群中含有不良之电路区块之情形时,记忆表示该不良电路区块之不良资讯;及替代电路部,其系替代前述不良之电路区块。
申请公布号
TW200411721
申请公布日期
2004.07.01
申请号
TW092126387
申请日期
2003.09.24
申请人
东芝股份有限公司
发明人
松尾美惠;依田孝
分类号
H01L21/00
主分类号
H01L21/00
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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