发明名称 积层型半导体装置
摘要 本发明之积层型半导体装置,系积层有特定之半导体积体电路晶片,及至少一个以上之半导体积体电路晶片者;前述至少一个以上之半导体积体电路晶片,包含由复数之电路区块所组成之群;前述特定之半导体积体电路晶片,具备:记忆部,其系于前述群中含有不良之电路区块之情形时,记忆表示该不良电路区块之不良资讯;及替代电路部,其系替代前述不良之电路区块。
申请公布号 TW200411721 申请公布日期 2004.07.01
申请号 TW092126387 申请日期 2003.09.24
申请人 东芝股份有限公司 发明人 松尾美惠;依田孝
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本