多重闸极介电层的结构及其制造方法

摘要

本发明提供多重闸极介电层的制造方法和其结构。其中一种方法系为于具有原生氧化层的半导体基底上沈积一高介电常数介电层，其介电常数大于8。之后，移除高效能元件区之高介电常数介电层，使高介电常数介电层做为低漏电流元件区的一闸极介电层之一部份。