| 摘要 |
<P>La présente invention concerne une composition de bain de cuivre et un procédé pour le dépôt autocatalytique et/ou électrolytique de cuivre pour remplir des trous d'interconnexion et des tranchées lors de la fabrication de circuits intégrés. Spécifiquement, la composition de bain de cuivre comprend de l'eau, des ions de cuivre, des ions hydroxyde, un agent complexant pour inhiber la formation d'oxydes de cuivre, d'hydroxyde de cuivre et de sels de cuivre, un stabilisant pour contrôler la vitesse de dépôt de cuivre autocatalytique, un agent réducteur pour favoriser la réduction autocatalytique des ions de cuivre en métal de cuivre, et un catalyseur pour favoriser la réduction électrolytique des ions de cuivre en métal de cuivre.</P>
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