| 主权项 |
1.一种具有金属-金属电容器的积体电路之结构,包含:一第一金属层,该第一金属层位于一半导体结构之最上层;一介电层,该介电层位于该第一金属层之上;一第二金属层,该第二金属层位于该介电层之上;一保护层,该保护层形成于该第二金属层与该半导体结构上;及一接合垫(bonding pad),该接合垫穿过该保护层。2.如申请专利范围第1项之具有金属-金属电容器的积体电路之结构,其中上述的半导体结构包含复数组内连线。3.如申请专利范围第1项之具有金属-金属电容器的积体电路之结构,其中上述第一金属层的材料包含铜。4.如申请专利范围第3项之具有金属-金属电容器的积体电路之结构,其中上述的第一金属层系以镶嵌法(damascene)来形成。5.如申请专利范围第1项之具有金属-金属电容器的积体电路之结构,其中该接合垫位于该半导体结构上,且该接合垫与该第二金属层系彼此分离。6.一种具有金属-金属电容器的积体电路之形成方法,该方法至少包含:形成一第一金属层,该第一金属层系位于一半导体结构之最上层;形成一介电层于该第一金属层之上;形成一第二金属层该介电层之上;形成一接合垫(bonding pad)该半导体结构上,其中该接合垫与该第二金属层系彼此分离;以及形成一保护层于该半导体结构与该第二金属层上。7.如申请专利范围第6项之具有金属-金属电容器的积体电路之形成方法,其中上述的半导体结构包含复数组内连线结构。8.如申请专利范围第6项之具有金属-金属电容器的积体电路之形成方法,其中上述的第一金属层的材料包含铜。9.如申请专利范围第8项之具有金属-金属电容器的积体电路之形成方法,其中上述的第一金属层系以镶嵌法(damascene)来形成。10.如申请专利范围第6项之具有金属-金属电容器的积体电路之形成方法,其中上述形成该介电层的步骤包含:形成一覆盖介电层于该半导体结构与该第一金属层上;形成一第一光罩于该覆盖介电层上;以该第一光罩为遮罩对该介电层进行过度蚀刻(over etching),以形成该介电层,其中该介电层完全为该第一光罩所覆盖,且该介电层的面积小于该第一光罩;及移除该第一光罩。11.如申请专利范围第10项之具有金属-金属电容器的积体电路之形成方法,其中更包含:形成该第一光罩于该保护层上;及蚀刻该保护层,以暴露出该接合垫。12.如申请专利范围第6项之具有金属-金属电容器的积体电路之形成方法,其中该接合垫与该第二金属层系同时形成。13.一种具有金属-金属电容器的积体电路之形成方法,该方法至少包含:形成一第一金属层,该第一金属层位于一半导体结构之最上层;形成一介电层于该半导体结构与该第一金属层之上;形成一第一光罩于该介电层之上;以该第一光罩为遮罩对该介电层进行过度蚀刻,使得蚀刻之后该介电层完全为该第一光罩所覆盖,且蚀刻之后该介电层的面积小于该第一光罩;移除该第一光罩;形成一第二金属层于该半导体结构与该介电层之上;形成一第二光罩于该第二金属层之上;以该第二光罩为遮罩对该第二金属层进行蚀刻,以形成一接合垫(bonding pad)于该半导体结构上与形成一上极板于该介电层上,且该金属连接线与该上极板系彼此分离;移除该第二光罩;以一保护层覆盖于该半导体结构与该第二金属层上;使用该第一光罩为遮罩来蚀刻该保护层,以形成可露出该接合垫之一开口;以及移除该第一光罩。14.如申请专利范围第13项之具有金属-金属电容器的积体电路之形成方法,其中上述的半导体结构包含复数组内连线结构。15.如申请专利范围第13项之具有金属-金属电容器的积体电路之形成方法,其中上述的第一金属层的材料包含铜。16.如申请专利范围第15项之具有金属-金属电容器的积体电路之形成方法,其中上述的第一金属层系以镶嵌法(damascene)来形成。图式简单说明:第一图系一根据习知技艺的技术所形成之金属-金属电容器的示意图;第二图系一根据本发明所揭露技术所形成的金属-金属电容器之示意图;以及第三图至第八图系一根据本发明所揭露技术所形成的金属-金属电容器与接合垫之流程图。 |
