铟-硼双晕金氧半场效电晶体(MOSFET) INDIUM-BORON DUAL HALO MOSFET

摘要

一种包括形成一含一沟道区电晶体装置；植入第一晕进入沟道区之方法；及植入第二不同晕进入沟道区之方法。一装置包括一在基板上形成之闸电极；一在基板中闸极下及在接点间形成之沟道区；第一晕植入包括沟道区之第一种类；及第二晕植入包括沟道区之沟道区之第二种类。