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发明名称
发光二极体阵列
摘要
本发明提供一种仅抑制无助于发光的巡回电流路径中的电流并增大发光输出功率并且能够在低电压下操作的发光二极体阵列。其中,其具有在基板上成长的导电层、在上述导电层上形成的各自独立的多个发光部、在各发光部上表面的一部分上形成的第一电极、以及在上述导电层上接近上述发光部形成的第二电极,上述第二电极是使多个上述发光部操作的共同电极,上述导电层中仅留下通往上述发光部的电流路径的区域并去除了相邻的发光部之间的区域。
申请公布号
TW200418205
申请公布日期
2004.09.16
申请号
TW092113976
申请日期
2003.05.23
申请人
日立电线股份有限公司
发明人
行本富久
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
吴宏山
主权项
地址
日本
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