| 摘要 |
本发明之目的在于提供一种可迅速且确实地执行资料之删除、重写之自由度高之半导体记忆装置及记忆胞阵列之删除方法。对于将藉电阻之变化记忆资讯之可变电阻元件(24)与选择电晶体(21)构成之非挥发性记忆胞(20)排列成矩阵状，且为选择特定之记忆胞，而排列字元线(WL1、．．．、WLm)与位元线(BL1、．．．、BLn)构成之记忆胞阵列，备置有以特定之施加条件将电压施加至连接于记忆胞阵列之字元线(WL)、位元线(BL)、源极线(SL)，而使前述可变电阻元件之电阻成为特定之删除状态之删除手段(13)，删除手段(13)系依据前述电压之施加条件切换整批地删除记忆胞阵列内之全部记忆胞(20)之整批删除模态、与个别地删除该记忆胞阵列内之一部分记忆胞(20)之个别删除模态。 |
