| 主权项 |
1.一种免背面薄化晶圆制程,系包含有:准备一薄形晶圆及一基底晶圆,系提供进行半导体元件制程,其厚度为待成型晶粒之厚度;结合薄形晶圆及基底晶圆,两晶圆结合后的厚度符合免背面薄化晶圆制程的刚性要求;制作半导体元件于薄形晶圆的上端面;分离薄形晶圆与基底晶圆,使薄形晶圆脱离基底晶圆;进行晶粒切割程序;回收该基底晶圆供下一次制程使用之。2.如申请专利范围第1项所述之免背面薄化晶圆制程,上述结合薄形晶圆及基底晶圆步骤系于薄形晶圆的下端面与基底晶圆的上端面间置入一介质层,再将三者予以结合。3.如申请专利范围第2项所述之免背面薄化晶圆制程,上述分离薄形晶圆与基底晶圆步骤系为一可控式分离技术(controlled cleave process;CCP),即在室温下沿着介质层分别将薄形晶圆与基底晶圆分离。4.如申请专利范围第1项所述之免背面薄化晶圆制程,该基底晶圆及薄形晶圆为矽晶圆。5.如申请专利范围第1项所述之免背面薄化晶圆制程,该基底晶圆及簿形晶圆为蓝宝石晶圆。6.如申请专利范围第1项所述之免背面薄化晶圆制程,该基底晶圆及薄形晶圆为碳化矽晶圆。图式简单说明:第一图:系本发明一制程方法流程图。(代表图)第二图A~E:系本发明一各制程流程步骤的示意图。第三图:系习用晶圆制程方法流程图。第四图A~C:第三图各制程流程步骤的示意图。 |
