| 主权项 |
1.一种预估电源中断造成损失的方法,包括下列步骤:依据已知时间区段内发生之复数电源供应中断事件之一第一材料总成本取得一第一参数;依据该已知时间区段内发生之复数电源供应中断事件之一第一制程总成本取得一第二参数;将该第一参数与该第一材料总成本、该第二参数与该第一制程总成本作关联以得到一相关模式;依据一计划时间区段内之预估产能得一第二材料总成本;依据该计划时间区段内之预定制程步骤得一第二制程总成本;利用该相关模式,以该第一参数与该第二材料总成本取得该计划时间区段内之一第一损失値;利用该相关模式,以该第二参数与该第二制程总成本取得该计划时间区段内之一第二损失値;及加总该第一损失値与该第二损失値,作为该计划时间区段之预估损失値。2.如申请专利范围第1项所述之预估电源中断造成损失的方法,其中该相关模式系为一线性相关模式。3.如申请专利范围第2项所述之预估电源中断造成损失的方法,其中该线性相关模式为:预估损失値=该第一参数该第二材料总成本+该第二参数该第二制程总成本其中,该第一参数为0.0358881;该第二参数为0.316826。4.如申请专利范围第1项所述之预估电源中断造成损失的方法,其中更包括一储存该既定时间,该第一材料成本,该第一参数,该第二材料成本、该第二参数、该第一制程成本及该第二制程成本于该资料处理系统之步骤。5.如申请专利范围第4项所述之预估电源中断造成损失的方法,其中更包括一具有资料储存用之记忆装置的资料处理系统。6.如申请专利范围第1项所述之预估电源中断造成损失的方法,其中当上述方法应用于一半导体晶圆厂中,上述第一材料总成本系为一第一晶片材料总成本,上述第一制程总成本系为一第一晶片制程总成本。7.如申请专利范围第1项所述之预估电源中断造成损失的方法,其中当上述方法应用于一半导体晶圆厂中,上述第二材料总成本系为一第二晶片材料总成本,上述第二制程总成本系为一第二晶片制程总成本。图式简单说明:第1图系纪录因停电损失之各半导体晶圆厂之晶片各项成本之示意图。 |
