破坏晶片之方法

摘要

本发明系为一种破坏晶片之方法，其主要系将晶片置于微波环境当中，施予微波作用在晶片上，利用微波具有选择性作用的特性，集中能量破坏电路组件，其吸收能量而快速破损，使讯号无法被侦测或辨识，造成读取资料失败，可防止其内容外泄，而且基材可保持完整，以有助于后续的回收制程，此方法可以完整且快速的破坏，且仅需简单的操作和少量成本，即可高效率破坏资料，且有利于回收再制，因此具有保密、环保和低成本的优点。

主权项

1.一种破坏晶片之方法,系指破坏电路组件,而使资料无法读取;其特征系在于:将晶片置入于微波环境中,施予微波作用在晶片电路上,毁损导线或电容或电感或电阻作用,而使电路或资料被破坏者。2.如申请专利范围第1项所述之破坏晶片之方法,其中该微波环境系可为微波炉。3.如申请专利范围第1项所述之破坏晶片之方法,其中该晶片材质系包括矽(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs),磷化镓(GaP)、锑化铟(InSb)、硫化镉(CdS)及蹄化锌(ZnTe)。4.如申请专利范围第1项所述之破坏晶片之方法,其中该晶片置入微波环境中之方式,系可为批次式、半连续式、连续式。5.如申请专利范围第1项所述之破坏晶片之方法,其中该微波条件系施予频率2450MHZ,功率2000W,时间3sec,即能造成铜、铝、金和镍薄膜导体材质电路图形与微波感应产生的电流因边际效应集中而使其毁损。