发明名称 电镀装置
摘要 一种电镀装置。至少包括一个沈积匣放置于电镀槽之阴极、铜片或铜棒放置于电镀室之阳极。其中电镀室可以放置25片晶圆,每一片晶圆的两端分别被晶圆夹固定,晶圆夹与阴极相接,与晶圆作电性接触;而连接阳极的铜棒或铜片可以是一大片,放置于沈积匣开口外侧,也可以是由呈梳状排列的25个小铜片组成,分别交错延伸至晶圆之间的空隙中。此外,为了提高铜金属沈积时的均匀度,本发明进一步在电镀槽的底部及两侧加上音波震荡器,于电镀的同时提供超音波震荡,使得沈积于晶圆上的铜金属层具有较好的均匀度。
申请公布号 TWI225111 申请公布日期 2004.12.11
申请号 TW089116344 申请日期 2000.08.14
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 林必窕
分类号 C25D17/00 主分类号 C25D17/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种电镀装置,包括:一电镀槽,其中承装有一电镀液;一沈积匣,位于该电镀槽中,其中可放置复数个晶圆,该些晶圆分别由一固定来固定于该沈积匣中,每一该些晶圆透过该固定夹经由一阴极电极作电性耦接;以及一金属片,位于该电镀槽中,与该沈积匣相对并与一阳极电极作电性耦接,其中该金属片更进一步包括复数个金属板,分别延伸至该沈积匣中,并与该些晶圆交错分布。2.如申请专利范围第1项所述之电镀装置,其中该金属片为铜。3.如申请专利范围第2项所述之电镀装置,其中该电镀液为含有铜离子之电镀液。4.如申请专利范围第1项所述之电镀装置,其中该沈积匣中放置有25片晶圆。5.如申请专利范围第4项所述之电镀装置,其中位于该沈积匣中央之该些晶圆上之阴极电压低于位于该沈积匣上下方之该些晶圆之阴极电压。6.如申请专利范围第4项所述之电镀装置,其中第1-4片晶圆以及第22-25片晶圆上之电压高于第5-21片晶圆上之电压。7.如申请专利范围第6项所述之电镀装置,其中沈积匣上下方之该些晶圆较沈积匣中央之该些晶圆电压高出1-5伏特。8.一种电镀装置,包括:一电镀槽,其中承装有一电镀液;一沈积匣,位于该电镀槽中,其中可放置复数个晶圆,该些晶圆分别由一固定夹固定于该沈积匣中,每一该些晶圆透过该固定夹经由一阴极电极作电性耦接;一金属片,位于该电镀槽中,与该沈积匣相对并与一阳极电极作电性耦接,其中该金属片更进一步包括复数个金属板,分别延伸至该沈积匣中,并与该些晶圆交错分布;以及复数个音波震荡器,分别放置于该金属片与该沈积匣之周围。9.如申请专利范围第8项所述之电镀装置,其中该金属片为铜。10.如申请专利范围第9项所述之电镀装置,其中该电镀液为含有铜离子之电镀液。11.如申请专利范围第8项所述之电镀装置,其中该沈积匣中放置有25片晶圆。12.如申请专利范围第11项所述之电镀装置,其中位于该沈积匣中央之该些晶圆上之阴极电压低于位于该沈积匣上下方之该些晶圆之阴极电压。13.如申请专利范围第11项所述之电镀装置,其中第1-4片晶圆以及第22-25片晶圆上之电压高于第5-21片晶圆上之电压。14.如申请专利范围第13项所述之电镀装置,其中沈积匣上下方之该些晶圆较沈积匣中央之该些晶圆电压高出1-5伏特。图式简单说明:第1图绘示依照本发明一较佳实施例的一种电镀装置简示图;第2A图与第2B图分别为第1图绘示之电镀装置的上视图与侧视图;第3A图与第3B图分别为第1图绘示的沈积匣之细说明的上视图与侧视图;以及第4图绘示为本发明之电镀装置中以金属片作为金属电镀源的装置简示图。
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