互补金氧半导体影像侦测器的制造方法

摘要

本发明系有关于一种用于制造出互补金氧半导体影像侦测器(COMS image sensor)的制造方法。该方法包括的步骤有：(a)形成具有一第一传导型的基体，系具有一光二极体区域和一原有第二传导性通道电晶体区域；和(b)藉由使用一第一传导性杂质离子，实施一用于形成一第二传导型通道停止区域的离子植入制程，以形成一第一传导型杂质区域，其中该第一传导型杂质区域系延伸至该原有第二传导型通道电晶体区域。