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发明名称
制造双闸氧化薄膜的方法
摘要
本发明揭示一种制造一双闸氧化薄膜的方法。依据本发明,获得用于高电压之一高品质的氮氧(NO)闸氧化薄膜及用于低电压之一高品质的NO闸氧化薄膜系可能的,其中藉由在执行一NO退火程序之后在一惰性环境中执行一快速退火程序,以防止因在形成用于低电压之一闸氧化薄膜之后应用该NO退火程序而使得氮未均匀分布且在用于高电压之一闸氧化薄膜中分离之一现象发生来将氮均匀地分布于该等整个氧化薄膜中。
申请公布号
TW200428643
申请公布日期
2004.12.16
申请号
TW092137653
申请日期
2003.12.31
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
赵廷一;朴相昱;李承撤
分类号
H01L27/082
主分类号
H01L27/082
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
韩国
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