| 摘要 |
一种制造一半导体电晶体装置之方法，包含下列步骤。提供半导体基材，包含闸极电介质层于此半导体基材上，且低闸极电极结构形成于具有低闸极电极结构之闸极电介质层上，而此低闸极电极结构包含低闸极顶部。形成平坦层，覆盖在此闸极电介质层，并留下此低闸极电极结构之此闸极顶部被暴露。形成上闸极结构，覆盖此低闸极电极结构，以形成T型闸极电极，此T型闸极电极系具有此上闸极表面之暴露的低表面以及此闸极电极的暴露的垂直侧壁。移除此平坦层，形成源极／汲极延伸于此基材中，以免除短通道效应。形成侧壁间隙壁，邻近此上闸极之此暴露的低表面以及此T型闸极电极之此暴露的垂直侧壁。形成源极／汲极区域于此基材中。形成矽化金属层于此T型闸极电极之顶部以及于此源极／汲极区域上。 |
