| 摘要 |
本发明所揭示的是一种半导体装置，该半导体装置包括：一半导体基板；一第一绝缘薄膜，该第一绝缘薄膜是在该半导体基板上形成且具有3.8或更小的相对介电常数；一导体，该导体是至少在接近半导体基板的四个角落上以及至少在具有导电阻障层之外部侧面上，覆盖住第一绝缘薄膜的侧面；以及一第二绝缘薄膜，该第二绝缘薄膜覆盖住该导体的外部侧面并具有超过3.8的相对介电常数。本发明还揭示一种半导体装置，包括：一导体，该导体覆盖住至少在接近该半导体基板之四个角落处的第一绝缘薄膜的侧面；以及一抗腐蚀导体，该抗腐蚀导体是至少在接近该半导体基板的四个角落处上形成，从第二绝缘薄膜底下延伸到该导体底下。 |
