用于半导体装置之改良的闸电极

摘要

本发明提供一种金属绝缘体半导体型半导体装置，包括一半导体基板及在闸绝缘膜上以闸材料所形成之一闸电极。该闸电极包括：–一具有面向基板之第一边及不面向基板之第二边之第一经活化结晶闸材料层，该第一经活化结晶闸材料层有10^19离子／cm^3或更高之掺杂位准，及–一在第一经活化结晶闸材料层第二边上之第二闸材料层。本发明也提供一种用于制造该装置之方法。