一种利用雷射结晶制程来制作薄膜电晶体的方法

摘要

本发明系先形成一非晶矽图案，该非晶矽图案包含有一第一、第二区域，至少一紧邻该第二区域具有一第二高度之第一尖端区域，至少一位于该第一区域以及各该第一尖端区域间之第四区域，各该第四区域具有一小于该第二高度之第四高度，进行一雷射结晶制程，于各该第四区域之内结晶成一第一单晶矽晶粒。