| 主权项 |
1.一种包含AlxGayInzN之晶圆,其中0<y≦1及x+y+z=1,其特征在于在晶圆之Ga侧之方均根(RMS)表面糙度于1010平方微米面积中系低于1奈米(nm)。2.如申请专利范围第1项之晶圆,其中,该晶圆之RMS表面糙度于晶圆之Ga侧之1010平方微米面积中系低于0.7奈米。3.如申请专利范围第1项之晶圆,其中,该晶圆之RMS表面糙度于晶圆之Ga侧之1010平方微米面积中系低于0.5奈米。4.如申请专利范围第1项之晶圆,其中,该晶圆之RMS表面糙度于晶圆之Ga侧之22平方微米面积中系至少低于0.4奈米。5.如申请专利范围第1项之晶圆,其中,该晶圆之RMS表面糙度于晶圆之Ga侧之22平方微米面积中系低于0.2奈米。6.如申请专利范围第1项之晶圆,其中,该晶圆之RMS表面糙度于晶圆之Ga侧之22平方微米面积中系低于0.15奈米。7.如申请专利范围第1项之晶圆,其中,当利用原子力显微镜观察时在其Ga侧的阶梯结构。8.如申请专利范围第1项之晶圆,其中,可见于其Ga侧的晶体瑕疵为直径低于1微米之小坑穴。9.如申请专利范围第1项之晶圆,其中,其系经由使用含矽石或氧化铝之CMP料浆化学机械抛光(CMP)AlxGayInzN晶圆毛片之Ga侧而形成。10.一种磊晶AlxGayInzN晶体结构,其包括成长于含AlxGayInzN之晶圆上之磊晶Alx'Gay'Inz'N薄膜,其中0<y'≦1,x'+y'+z'=1,0<y≦1,及x+y+z=1,该晶圆之特征在于在晶圆之Ga侧之方均根(RMS)表面糙度于1010平方微米面积中系低于1奈米。11.如申请专利范围第10项之磊晶AlxGayInzN晶体结构,其中,包括纤维锌矿结晶薄膜。12.如申请专利范围第10项之磊晶AlxGayInzN晶体结构,其中,该磊晶Alx'Gay'Inz'N薄膜具有与含AlxGayInzN之晶圆相同的组成物。13.如申请专利范围第10项之磊晶AlxGayInzN晶体结构,其中,该磊晶Alx'Gay'Inz'N薄膜具有与含AlxGayInzN之晶圆不同的组成物。14.如申请专利范围第10项之磊晶AlxGayInzN晶体结构,其中,该磊晶Alx'Gay'Inz'N薄膜具有渐层的组成物。15.一种光电装置,其包括成长于含AlxGayInzN之晶圆上之至少一磊晶Alx'Gay'Inz'N晶体结构,其中0<y≦1及x+y+z=1,该晶圆之特征在于在晶圆之Ga侧之方均根(RMS)表面糙度于1010平方微米面积中系至少低于1奈米。16.如申请专利范围第15项之光电装置,其中,该光电装置系为发光二极体。17.如申请专利范围第15项之光电装置,其中,该光电装置系为蓝光雷射二极体。18.如申请专利范围第15项之光电装置,其中,该光电装置经并入于发光二极体中。19.如申请专利范围第15项之光电装置,其中,该光电装置经并入于磁光记忆体装置中。20.如申请专利范围第15项之光电装置,其中,该光电装置经并入于全彩发光显示器中。21.如申请专利范围第15项之光电装置,其中,该光电装置经并入于DVD装置中。22.一种微电子装置,其包括成长于含AlxGayInzN之晶圆上之至少一磊晶Alx'Gay'Inz'N晶体结构,其中0<y≦1及x+y+z=1,该晶圆之特征在于在晶圆之Ga侧之方均根(RMS)表面糙度于1010平方微米面积中系至少低于1奈米。23.一种成长于含AlxGayInzN之晶圆上之磊晶Alx'Gay'Inz'N晶体毛坏,其中0<y≦1及x+y+z=1,该晶圆之特征在于在晶圆之Ga侧之方均根(RMS)表面糙度于1010平方微米面积中系至少低于1奈米。24.如申请专利范围第23项之磊晶Alx'Gay'Inz'N晶体毛坏,其中,该毛坏系于气相中成长。25.如申请专利范围第23项之磊晶Alx'Gay'Inz'N晶体毛坏,其中,该毛坏系于液相中成长。26.一种使用包含下列成份之CMP料浆化学机械抛光(CMP)AlxGayInzN晶圆之Ga侧之方法,其中0<y≦1及x+y+z=1:颗粒大小低于200奈米之磨蚀性无定形矽石颗粒;至少一酸,选自由氢氟酸、硫酸、氢氯酸、磷酸和硝酸构成之族群,其中该至少一酸具有一浓度相关于该磨蚀性无定形矽石颗粒;及选择性采用之至少一氧化剂,选自由过氧化氢和二氯异三聚氰酸构成之族群;其中,当该至少一氧化剂存在时,该CMP料浆之pH値系在自0.5至4之范围内。27.如申请专利范围第26项之方法,其中,该CMP料浆包含颗粒大小在自10奈米至100奈米之范围内之制矽石。28.如申请专利范围第26项之方法,其中,该CMP料浆包含颗粒大小在自10奈米至100奈米之范围内之胶态矽石。29.如申请专利范围第26项之方法,其中,该CMP料浆包含氧化剂。30.如申请专利范围第29项之方法,其中,该氧化剂包含过氧化氢。31.如申请专利范围第29项之方法,其中,该氧化剂包含二氯异三聚氰酸。32.如申请专利范围第26项之方法,其中,该CMP料浆具有在自0.6至3之范围内之pH値。33.如申请专利范围第26项之方法,其中,该CMP料浆具有在自0.8至2.5之范围内之pH値。34.一种使用包含下列成份之CMP料浆化学机械抛光(CMP)AlxGayInzN晶圆之Ga侧之方法,其中0<y≦1及x+y+z=1:颗粒大小低于200奈米之磨蚀性胶态氧化铝颗粒;至少一酸,选自由氢氟酸、硫酸、氢氯酸、磷酸和硝酸构成之族群,其中该至少一酸具有一浓度相关于该磨蚀性无定形矽石颗粒;及选择性采用之至少一氧化剂,选自由过氧化氢和二氯异三聚氰酸构成之族群;其中,当该至少一氧化剂存在时,该CMP料浆之pH値系在自3至5之范围内。35.如申请专利范围第34项之方法,其中,该CMP料浆包含颗粒大小在自10奈米至100奈米之范围内之胶态氧化铝。36.如申请专利范围第34项之方法,其中,该CMP料浆包含氧化剂。37.如申请专利范围第36项之方法,其中,该氧化剂包含过氧化氢。38.如申请专利范围第36项之方法,其中,该氧化剂包含二氯异三聚氰酸。39.如申请专利范围第34项之方法,其中,该CMP料浆具有在自3至4之范围内之pH値。40.一种使用包含下列成份之CMP料浆化学机械抛光(CMP)AlxGayInzN晶圆之Ga侧之方法,其中0<y≦1及x+y+z=1:颗粒大小低于200奈米之无定形矽石颗粒;至少一硷,选自由氨、胺、烷醇胺及氢氧化物构成之族群,其中该至少一硷具有一浓度相关于该磨蚀性无定形矽石颗粒;及选择性采用之至少一氧化剂,选自由过氧化氢和二氯异三聚氰酸构成之族群;其中,当该至少一氧化剂存在时,该CMP料浆之pH値系在自8至13.5之范围内。41.如申请专利范围第40项之方法,其中,该CMP料浆包含颗粒大小在自10奈米至100奈米之范围内之制矽石。42.如申请专利范围第40项之方法,其中,该CMP料浆包含颗粒大小在自10奈米至100奈米之范围内之胶态矽石。43.如申请专利范围第40项之方法,其中,该CMP料浆包含选自包括氨、烷醇胺、及氢氧化物之硷。44.如申请专利范围第40项之方法,其中,该CMP料浆包含氨。45.如申请专利范围第40项之方法,其中,该CMP料浆包含烷醇胺。46.如申请专利范围第40项之方法,其中,该CMP料浆包含选自包括KOH及NaOH之氢氧化物。47.如申请专利范围第40项之方法,其中,该CMP料浆包含氧化剂。48.如申请专利范围第47项之方法,其中,该氧化剂包含过氧化氢。49.如申请专利范围第47项之方法,其中,该氧化剂包含二氯异三聚氰酸。50.如申请专利范围第40项之方法,其中,该CMP料浆具有在自9至13之范围内之pH値。51.如申请专利范围第40项之方法,其中,该CMP料浆具有在自10至11之范围内之pH値。52.如申请专利范围第26项之方法,其中,在将该CMP料浆传送至抛光垫之前将其过滤,以移除直径大于100奈米之颗粒。53.如申请专利范围第34项之方法,其中,在将该CMP料浆传送至抛光垫之前将其过滤,以移除直径大于100奈米之颗粒。54.如申请专利范围第40项之方法,其中,在将该CMP料浆传送至抛光垫之前将其过滤,以移除直径大于100奈米之颗粒。55.一种测定AlxGayInzN晶圆之Ga侧上之晶体瑕疵密度之方法,其中0<y≦1及x+y+z=1,其包括下列步骤:提供一AlxGayInzN晶圆;使用CMP料浆化学机械抛光该晶圆之Ga侧,CMP料浆包含颗粒大小低于200奈米之磨蚀性无定形矽石颗粒、至少一酸,选自由氢氟酸、硫酸、氢氯酸、磷酸和硝酸构成之族群,其中该至少一酸具有一浓度相关于该磨蚀性无定形矽石颗粒、及选择性采用之至少一氧化剂,选自由过氧化氢和二氯异三聚氰酸构成之族群,其中当该至少一氧化剂存在时,该CMP料浆之pH値系在自0.5至4之范围内;将经抛光的AlxGayInzN晶圆清洁及乾燥;及利用原子力显微镜或扫描电子显微镜扫描晶圆,以测定该晶圆中之瑕疵密度。56.一种制造包含AlxGayInzN之晶圆之方法,其中0<y≦1及x+y+z=1,其包括下列步骤:提供一厚度在自100微米至1000微米之范围内的AlxGayInzN晶圆毛片;视需要降低AlxGayInzN晶圆毛片之内部应力;视需要使用包含平均颗粒大小在自5微米至15微米之范围内之磨料的研光料浆研光AlxGayInzN晶圆毛片的N侧;视需要使用包含平均颗粒大小在自0.1微米至6微米之范围内之磨料的机械抛光料浆机械抛光AlxGayInzN晶圆毛片的N侧;视需要使用包含平均颗粒大小在自5微米至15微米之范围内之磨料的研光料浆研光AlxGayInzN晶圆毛片的Ga侧;使用包含平均颗粒大小在自0.1微米至6微米之范围内之磨料的机械抛光料浆机械抛光AlxGayInzN晶圆毛片的Ga侧;使用包含至少一化学反应剂及平均颗粒大小低于200奈米之磨料颗粒的CMP料浆化学机械抛光AlxGayInzN晶圆的Ga侧;及视需要在温和的蚀刻条件下蚀刻AlxGayInzN晶圆,以进一步降低AlxGayInzN晶圆之内部应力,而改良表面品质,及于N侧产生消光,其中,如此制得之AlxGayInzN晶圆具有特征在于在其之Ga侧于1010平方微米面积中之方均根(RMS)表面糙度低于1奈米之表面糙度。57.如申请专利范围第56项之方法,其中,该AlxGayInzN晶圆毛片系利用下列步骤制得:将一厚的AlxGayInzN薄膜成长于外来基板上;及将外来基板自厚的AlxGayInzN薄膜移除。58.如申请专利范围第56项之方法,其中,该AlxGayInzN晶圆毛片系利用下列步骤制得:成长一AlxxGayInzN毛坏;及切割AlxGayInzN毛坏。59.如申请专利范围第58项之方法,其中,该AlxGayInzN毛坏系经切割成使晶圆毛片表面垂直于c-轴。60.如申请专利范围第58项之方法,其中,该AlxGayInzN毛坏系经切割成使晶圆毛片表面故意不垂直于c-轴。61.如申请专利范围第56项之方法,其中,经由使该晶圆在氮或氨环境中在自700℃至1000℃之高温下热退火1分钟至1小时而降低AlxGayInzN晶圆之内部应力。62.如申请专利范围第56项之方法,其中,经由化学蚀刻降低AlxGayInzN晶圆之内部应力,其导致厚度低于100微米之表面材料的移除。63.如申请专利范围第62项之方法,其中,自AlxGayInzN晶圆移除厚度低于10微米之表面材料。64.如申请专利范围第62项之方法,其中,该AlxGayInzN晶圆系利用强酸在高于150℃之温度下化学蚀刻。65.如申请专利范围第64项之方法,其中该强酸系选自包括硫酸、磷酸、及其组合。66.如申请专利范围第62项之方法,其中,该AlxGayInzN晶圆系利用强的熔融硷在高于150℃之温度下化学蚀刻。67.如申请专利范围第66项之方法,其中,该强硷系选自包括熔融LiOH、熔融NaOH、熔融KOH、熔融RbOH、熔融CsOH、及其组合。68.如申请专利范围第56项之方法,其中,利用包含选自包括钻石粉末、碳化矽粉末、碳化硼粉末、及氧化铝粉末之磨料的研光料浆将该AlxGayInzN晶圆毛片研光。69.如申请专利范围第56项之方法,其中,该研光料浆包含平均颗粒大小在自6微米至15微米之范围内的钻石粉末。70.如申请专利范围第56项之方法,其中,该AlxGayInzN晶圆毛片系利用两种以上的研光料浆于其Ga侧研光,各后续的研光料浆包含相对较小平均大小的磨料。71.如申请专利范围第70项之方法,其中,该AlxGayInzN晶圆毛片系利用包含平均大小自8微米至10微米之磨料的第一研光料浆,及利用包含平均大小自5微米至7微米之磨料的第二研光料浆研光。72.如申请专利范围第56项之方法,其中,该机械抛光料浆包含选自包括钻石粉末、碳化矽粉末、碳化硼粉末、及氧化铝粉末之磨料。73.如申请专利范围第56项之方法,其中,该机械抛光料浆包含平均颗粒大小在自0.1微米至6微米之范围内的钻石粉末。74.如申请专利范围第56项之方法,其中,该AlxGayInzN晶圆毛片系利用两种以上的机械抛光料浆机械抛光,各后续的机械抛光料浆包含平均大小愈来愈小的磨料。75.如申请专利范围第74项之方法,其中,该AlxGayInzN晶圆毛片系利用包含平均大小自2.5微米至3.5微米之磨料的第一机械抛光料浆,利用包含平均大小自0.75微米至1.25微米之磨料的第二机械抛光料浆,利用包含平均大小自0.35微米至0.65微米之磨料的第三机械抛光料浆,利用包含平均大小自0.2微米至0.3微米之磨料的第四机械抛光料浆,及利用包含平均大小自0.1微米至0.2微米之磨料的第五机械抛光料浆机械抛光。76.如申请专利范围第56项之方法,其中,该CMP料浆为酸性,及该CMP料浆之pH値系在自0.5至4之范围内。77.如申请专利范围第56项之方法,其中,该CMP料浆为硷性,及该CMP料浆之pH値系在自8至13.5之范围内。78.如申请专利范围第56项之方法,其中,该温和的蚀刻条件系选自包括在低于100℃之温度下于酸水溶液中蚀刻及于硷水溶液中蚀刻。79.如申请专利范围第78项之方法,其中,该酸系选自包括氢氟酸、硝酸、硫酸、磷酸水溶液、及其组合。80.如申请专利范围第78项之方法,其中,该硷系选自包括LiOH、NaOH、KOH、RbOH、CsOH水溶液、及其组合。图式简单说明:图1系于利用酸性胶态矽石CMP料浆(pH=0.8)化学机械抛光1小时,及于稀氢氟酸中清洁后之GaN表面的诺马斯基(Normaski)光学显微照片(100)。图2系图1所示之GaN表面的原子力显微术(AFM)影像。图3系于利用包含过氧化氢作为氧化剂之酸性胶态氧化铝CMP料浆(pH=3.6)化学机械抛光1小时,及利用稀氢氟酸清洁后之GaN表面的AFM影像。图4系于利用硷性胶态矽石CMP料浆(pH=11.2)化学机械抛光1小时,及于稀氢氟酸中清洁后之GaN表面的诺马斯基光学显微照片(100)。图5系图4所示之GaN表面的AFM影像。图6系于利用酸性矽石CMP料浆(pH=0.8)化学机械抛光1小时,及于稀氢氟酸中清洁后之GaN表面的AFM影像。图7系于利用酸性矽石CMP料浆(pH=0.8)化学机械抛光1小时,及于稀氢氟酸中清洁后之GaN表面的扫描电子显微术(SEM)显微照片。图8系于利用1微米钻石料浆机械抛光,直至达到镜面为止后之GaN表面的诺马斯基光学显微照片(100)。图9系图8所示之GaN表面的AFM影像。 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