发明名称 微影检测图样及其方法
摘要 一种微影制程之检测(monitor)样版图样(pattern)与方法,本发明系利用一套线状样版图样与一套方格状样版图样,提供浅沟渠隔离结构区与氧化定义区(Oxide define,OD)经微影制程之快速检测方法。由于浅沟渠隔离结构的深度,会影响后续微影制程中光阻层的感光效果,对于产品元件关键图形尺寸的影响很深。藉由本发明提供之检测样版图样,可于微影制程后快速地被标定,并进行各项检测,如线宽、线距、线条末端短缺或岛状图形定义等图形定义,由于样版图样关键图形尺寸比照产品元件的要求,因此可以指标性地代表原产品元件,反映出微影制程的效果。进一步的,可以利用本发明之样版图样搭配各种已知深度之浅沟渠隔离结构,实验统计出一关键图形尺寸随浅沟渠隔离结构深度变化之对应学曲线图。利用此学曲线图,可以于制程中藉由量取关键图形尺寸而即时获得浅沟渠隔离结构的深度,进而提供后续微影制程控制变因之微调依据。
申请公布号 TW200503137 申请公布日期 2005.01.16
申请号 TW092119179 申请日期 2003.07.14
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 郭雪铃;陈盖文;张嘉德;滕立功;廖永豪
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹科学工业园区新竹县园区三路一二一号