用于半导体装置之抗反射涂层

摘要

本发明揭示一种用于半导体装置制造之抗反射涂层(ARC)(201)。该ARC层具有一底部部分，该底部部分之矽百分比低于一位于其上的该ARC层之部分。该ARC层系形成于一金属层(107)上，其中该ARC层之较低矽百分比可抑制于该金属层/ARC层之界面处形成非所欲之矽化物。在某些实施例中，该ARC层之顶部部分之矽百分比低于该ARC层之中间部分，其中该顶部部分之较低矽百分比可抑制污染一位于该ARC层上之光阻层。在一实施例中，可藉由在一沈积制程中降低或增加一含氮气体流率对一含矽气体流率之比率，来增加或降低矽百分比。