半导体装置及其制造方法

摘要

本发明为了提供一种藉由将High–K绝缘膜之相对介电常数维持在高状态以获得特性良好之半导体装置，或提供一种可以将High–K绝缘膜之相对介电常数维持在高状态之半导体装置之制造方法，而该半导体装置含有矽基板、闸极层以及配置于前述矽基板与前述闸极层之间的闸极绝缘膜。而且，将前述闸极绝缘膜设为将金属及矽之混合物进行氮化处理而成之高相对介电常数(high–k)膜。藉由以High–K膜本身作为氮化物，可防止SiO2之产生。