| 摘要 |
由多数个异质接面双极电晶体(HBT)并联连接而成之半导体电路，具有无法以较简单的电路构造有效地抑制热失控(thermal runaway)之发生的问题。本发明系在为放大RF讯号而并联连接的第1电晶体(HBT)11至14的附近且热环境大致相同的位置，配置作为温度监视元件21至24之第2电晶体21至24。第2电晶体21至24的集极与基极系直接连接，而构成为随着温度上升，流通电流会放大的二极体。第2电晶体21至24的集极系经由第1电阻R11至14而与DC电源连接，射极系经由第2电阻R21至24而接地。此外，基极系经由第1电感器元件L11至14而与第1电晶体11至14之基极连接。 |
