| 主权项 |
1.一种利用光阻侧壁保护以控制关键线宽之方法,包含有:提供一基底;于该基底表面上形成一半导体层;于该半导体层上形成一顶盖层;于该顶盖层上形成一光阻图案,其具有一上表面及垂直侧壁;选择性地于该光阻图案之上表面及垂直侧壁上溅镀形成一矽薄膜;利用该矽薄膜以及该光阻图案作为蚀刻遮罩,非等向性乾蚀刻该顶盖层,藉此将该光阻图案转移至该顶盖层;以及利用该顶盖层作为蚀刻遮罩,继续非等向性乾蚀刻该半导体层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该半导体层包含有一多晶矽层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该半导体层包含有一矽化金属层。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该顶盖层系由氮化矽所构成。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该矽薄膜于该光阻图案之上表面及垂直侧壁之厚度分别为y以及x,其中x<y。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该矽薄膜于该光阻图案垂直侧壁之厚度x系小于50埃。7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该矽薄膜于该光阻图案垂直侧壁之厚度x系小于10埃。图式简单说明:图一以及图二为习知制作闸极结构产生明显ADI关键线宽与AEI关键线宽差异的剖面示意图。图三至图六为本发明较佳实施例以保护光阻侧壁控制关键线宽之方法的剖面示意图。 |
