使用乾蚀刻将蓝宝石晶圆分成晶片之方法

摘要

本发明系揭示一种有效地将蓝宝石晶圆(sapphire wafer)分成晶片之方法，该蓝宝石晶圆系用作为基材，且其上面系形成有半导体元件，本发明所揭示之方法系藉由在该蓝宝石晶圆背面进行研磨与研光，接着对该蓝宝石晶圆进行乾蚀刻之后，刻划该蓝宝石晶圆。该方法系包括下列步骤：(a)于该蓝宝石晶圆之背面进行研磨，使该蓝宝石晶圆具有预定厚度；(b)于该经研磨之蓝宝石晶圆之背面进行研光，使该蓝宝石晶圆具有预定厚度；(c)对该经研光之蓝宝石晶圆之背面进行乾蚀刻，使该蓝宝石晶圆具有均匀厚度；以及(d)刻划该经乾蚀刻之蓝宝石晶圆之背面。该方法可以防止所获得之晶片的外形缺陷并减少昂贵的钻石刀的磨耗量。

主权项

1.一种将蓝宝石晶圆分成晶片之方法,该蓝宝石晶圆系用作为基材,且其上系形成有半导体元件,该方法系包括下列步骤:(a)于该蓝宝石晶圆之背面进行研磨(grinding),使该蓝宝石晶圆具有预定厚度;(b)于该经研磨之蓝宝石晶圆之背面进行研光(lapping),使该蓝宝石晶圆具有预定厚度;(c)对该经研光之蓝宝石晶圆之背面进行乾蚀刻(dryetching),使该蓝宝石晶圆具有均匀厚度;以及(d)刻划(scribing)该经乾蚀刻之蓝宝石晶圆经乾蚀刻之背面。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,步骤(c)系藉由反应性离子蚀刻法(RIE)进行。3.如申请专利范围第1项之方法,其中,步骤(c)系进行50秒或以上。4.如申请专利范围第1项之方法,其中,步骤(c)中系对该蓝宝石晶圆进行乾蚀刻800或800以上。5.如申请专利范围第1项之方法,其中,步骤(c)中系对该蓝宝石晶圆施加26W之最大RF偏压。图式简单说明:第1a至1c图系说明将蓝宝石晶圆分成晶片之一般性制程的概要图式;第2a图系该蓝宝石晶圆之表面经研光步骤之后的扫描式电子显微镜照片;第2b图系该蓝宝石晶圆之表面经抛光步骤之后的扫描式电子显微镜照片;第3a图系进行研光步骤之后,将蓝宝石晶圆刻划成晶片之照片;第3b图系进行研光步骤之后,由该蓝宝石晶圆所分成之晶片之照片;第4a图系进行抛光步骤之后,将该蓝宝石晶圆刻划成晶片之照片;第4b图系进行抛光步骤之后,由该蓝宝石晶圆所分成之晶片之照片;第5a至5d系说明根据本发明将蓝宝石晶圆分成晶片之制程的概要图式;第6a图系经研光之蓝宝石晶圆之截面图;第6b图系经乾蚀刻之蓝宝石晶圆之截面图;第7a至7d图系说明随着乾蚀刻之时间变化,蓝宝石晶圆之表面变化的扫描式电子显微镜照片;第8a至8c图系说明根据乾蚀刻之RF偏压变化,该蓝宝石晶圆之蚀刻状态变化的照片;第9a图系根据本发明将蓝宝石晶圆刻划成晶片之照片;以及第9b图系根据本发明由该蓝宝石晶圆所分成之晶片之照片。