| 主权项 |
1.一种形成复数个接触窗开口之方法,包括:提供一多晶矽化金属层沈积于一基底上,该多晶矽化金属层包括一多晶矽层位于该基底之上与一金属矽化物层位于该多晶矽层之上;形成一定义过的罩幕层于该多晶矽化金属层之一第一部份区域与一第二部份区域上,以暴露出该金属矽化物层,与该第二部份区域相较,该第一部份区域涵盖一较薄的多晶矽化层;进行一金属矽化蚀刻,以选择的蚀刻该金属矽化物层以定义出一第一接触窗开口与一第二接触窗开口,该金属矽化蚀刻可有效地移除该金属矽化物层暴露之部分;进行一多晶矽化金属蚀刻使该些接触窗开口向基底延伸,而该多晶矽化金属蚀刻会继续直到该第一接触窗开口暴露出该基底为止,该多晶矽化金属蚀刻具有大于1之多晶矽选择率而使该金属矽化物层之蚀刻速率快于该多晶矽层,其中该多晶矽化金属蚀刻包括由氯气与氮气所组成之一电浆,而该氮气流速是介于约20%至约30%之间;以及进行一多晶矽过蚀刻而使该第二接触窗开口暴露出基底。2.如申请专利范围第1项所述形成复数个接触窗开口之方法,其中该金属矽化物层为矽化钨。3.如申请专利范围第1项所述形成复数个接触窗开口之方法,其中一介电层位于该基底与该多晶矽层,而该多晶矽过蚀刻使该介电层暴露出来。4.如申请专利范围第1项所述形成复数个接触窗开口之方法,其中该金属矽化蚀刻包括由四氟化碳、氯气与氮气所组成之一电浆。5.如申请专利范围第1项所述形成复数个接触窗开口之方法,其中该多晶矽过蚀刻包括由溴化氢、氦气与氧气所组成之一电浆。6.如申请专利范围第5项所述形成复数个接触窗开口之方法,其中该电浆更包括氮气。7.一种形成复数个接触窗开口之方法,包括:提供一多晶矽化金属层沈积于一基底上,该多晶矽化金属层包括一多晶矽层位于该基底之上与一金属矽化物层位于该多晶矽层之上;形成一定义过的罩幕层于该多晶矽化金属层之一第一部份区域与一第二部份区域上,以暴露出该金属矽化物层,与该第二部份区域相较,该第一部份区域涵盖一较薄的多晶矽化层;进行一多晶矽化金属蚀刻,以选择的蚀刻该多晶矽化金属层以定义出一第一接触窗开口与一第二接触窗开口,而该多晶矽化金属蚀刻会继续直到暴露出该基底为止,该多晶矽化金属蚀刻具有大于1之多晶矽选择率而使该金属矽化物层之蚀刻速率快于该多晶矽层,其中该多晶矽化金属蚀刻包括由氯气与氮气所组成之一电浆,而该氮气流速是介于约20%至约30%之间;以及进行一多晶矽过蚀刻而使该第二接触窗开口暴露出基底。8.如申请专利范围第7项所述形成复数个接触窗开口之方法,其中该金属矽化物层为矽化钨。9.如申请专利范围第7项所述形成复数个接触窗开口之方法,其中一介电层位于该基底与该多晶矽层,而该多晶矽过蚀刻使该介电层暴露出来。10.如申请专利范围第7项所述形成复数个接触窗开口之方法,其中该金属矽化蚀刻包括由四氟化碳、氯气与氮气所组成之一电浆。11.如申请专利范围第7项所述形成复数个接触窗开口之方法,其中该多晶矽过蚀刻包括由溴化氢、氦气与氧气所组成之一电浆。12.如申请专利范围第11项所述形成复数个接触窗开口之方法,其中该电浆更包括氮气。13.一种形成接触窗开口之方法,包括:提供一多晶矽化金属层于一介电层之上而该介电层位于一基底上,该多晶矽化金属层包括一多晶矽层位于该介电层之上与一金属矽化物层位于该多晶矽层之上;形成一定义过的罩幕层于该多晶矽化金属层之一第一部份区域与一第二部份区域上,以暴露出该金属矽化物层,与该第二部份区域相较,该第一部份区域涵盖一较薄的多晶矽化层;进行一金属矽化蚀刻,其利用包括四氟化碳、氯气与氮气,以选择的蚀刻该金属矽化物层以定义出一第一接触窗开口与一第二接触窗开口,该金属矽化蚀刻可有效地完全移除该金属矽化物层暴露之部分;进行一多晶矽化金属蚀刻使该些接触窗开口向该介电层延伸,而该多晶矽化金属蚀刻会继续直到该第一接触窗开口暴露出该介电层为止,该多晶矽化金属蚀刻具有大于1之多晶矽选择率而使该金属矽化物层之蚀刻速率快于该多晶矽层,其中该多晶矽化金属蚀刻包括由氯气与氮气所组成之一电浆,而该氮气流速是介于约20%至约30%之间;以及进行一多晶矽过蚀刻,其利用由溴化氢、氦气与氧气所组成之一电浆,而使该第二接触窗开口暴露出该介电层,该多晶矽过蚀刻确保该第一与第二接触窗开口暴露出该介电层。图式简单说明:第1图绘示为习知的一种半导体堆叠结构之剖面图;第2图绘示为习知的一种表面具有较大起伏之半导体堆叠结构之剖面图;第3图绘示为根据本发明一较佳实施例之一种半导体堆叠结构之剖面图;第4图绘示为根据本发明一较佳实施例之部分蚀刻厚的半导体堆叠结构剖面图;第5图绘示为依照本发明一较佳实施例之进一步部分蚀刻以后之结构剖面图;第6图绘示为依照本发明一较佳实施例之再进一步部分蚀刻以后之结构剖面图;以及第7图绘示为依照本发明一较佳实施例之完全蚀刻以后之结构剖面图。 |
