| 摘要 |
Circuit intégré, comprenant un substrat (1) du type SOI comportant un film semi-conducteur (12) situé au-dessus d'une couche isolante enterrée (11), elle-même située au-dessus d'un substrat porteur (10), le film semi-conducteur (12) comprenant une première zone (Z1), des premiers motifs (21) au dessus de la première zone (Z1) du film semi-conducteur (12) formant des régions de grille de premiers transistors MOS et des premières régions de grille fictives, la première zone (Z1) du film semi-conducteur comportant deux domaines (d1, d2) mutuellement espacés, ledit espace (7) étant comblé par au moins un matériau isolant (9) et situé entre deux régions de grille fictives (240, 241) au dessus d'une région du substrat porteur (11) exempte de tranchée isolante. |
