堆叠式闸极结构及具有该堆叠式闸极结构的场效电晶体之制造方法

摘要

本发明系提供一使用于半导体元件中的堆垒式闸极结构之制造方法，其步骤包括陆续于半导体基板上形成一介电层、一复晶矽层、一金属层、一WNX层，再于氮气中进行快速回火(rapid thermal annealing)，在最上方的部份WNX层会因此转换为一钨层，然后在钨层上形成一氮化矽层，最后将所形成之多层薄膜结构依预设图案定义出闸极结构。