制作闸极之方法

摘要

本发明提供一种制作闸极的方法。首先提供一半导体基底，并于其上依序形成一闸极绝缘层、一多晶矽层、一矽化金属层及一顶盖层。接着蚀刻部分该顶盖层、该矽化金属层及该多晶矽层并停止于该多晶矽层上，以形成一堆叠闸极结构。然后去除该堆叠闸极侧壁上曝露出之部分该矽化金属层，以于该堆叠闸极侧壁上形成一缺口。最后于该缺口内填入一保护层，并去除该堆叠闸极侧壁外剩余之该多晶矽层及该闸极绝缘层。