制造沟渠式金氧半场效电晶体之方法

摘要

本案系关于一种制造沟渠式金氧半场效电晶体之方法，该方法至少包括步骤：(a)提供一半导体基板，并于该半导体基板上形成沟渠；(b)形成一第一氧化层于该沟渠之底部与侧壁以及该半导体基板上；(c)形成一底抗反射层于该沟渠中，并覆盖于该第一氧化层上；(d)形成一光阻层于该底抗反射层上；(e)移除该光阻层；(f)移除该抗反射层；以及(g)移除该沟渠侧壁之该第一氧化层，以于该沟渠中形成一底氧化层。