提供具有活性化掺杂物之层结构的半导体基板之方法

摘要

揭示一种形成具有薄且明确定义的活性化掺杂物层之层结构的半导体元件之方法。在该方法中，将半导体基板内的一区域非结晶化，之后以一第一掺杂浓度将一第一掺杂物植入。接着，对该非结晶区中的一所要厚度薄层上执行一固相磊晶再成长步骤，藉以只活性化这个薄层内的第一掺杂物。接着，以一第二掺杂浓度将一第二掺杂物植入该剩余的非结晶区内。接着的基板退火只活性化该剩余区内的第二掺杂物，因而在具有第一掺杂物的该薄层及具有该第二掺杂物的区域两者的掺杂物特性之间得到一非常陡的转变。